Dispositif de transistor bipolaire à grille isolée
Description du produit
Basés sur 39 années d'expérience dans la fabrication de composants d'entraînement de contrôle de mouvement et d'électronique de puissance, nous produisons indépendamment des produits de dispositifs à transistors bipolaires à grille isolée pour les entraînements de servomoteurs, les contrôleurs de joints robotisés, les convertisseurs de fréquence industriels et les systèmes d'alimentation à énergie renouvelable. Grâce à une technologie optimisée de conditionnement des puces, nos dispositifs IGBT réduisent les pertes de conduction et améliorent la stabilité à long-terme des équipements à haute-puissance.

Créée en 1987, notre usine exploite une usine de fabrication de 16 000㎡ avec une équipe indépendante d'ingénierie de composants semi-conducteurs. Des lignes de production d’emballages propres dédiées et un personnel professionnel d’inspection des semi-conducteurs assurent un contrôle qualité stable. ChaqueDispositif de transistor bipolaire à grille isoléesubit des tests complets de résistance à la tension, d’isolation et de performance de conduction avant expédition. Notre capacité de production mensuelle de composants moteurs et de produits semi-conducteurs de puissance atteint 30 000 unités. Les produits sont conformes aux exigences internationales d'exportation et sont largement fournis aux fabricants mondiaux d'équipements d'automatisation.
LeDispositif de transistor bipolaire à grille isoléeLa série couvre plusieurs spécifications de tension et de courant. Grâce à une conception de puce à faible perte de commutation et à une forte résistance aux courants de surtension, ces dispositifs conviennent aux applications de servocommandes haute fréquence et aux systèmes de contrôle de puissance industriels exigeants. Tous les produits semi-conducteurs bénéficient d'une garantie de 18 mois.
Avant l'achat, nos ingénieurs techniques fournissent une assistance à distance pour les solutions d'alimentation des cartes de variateur, la sélection des paramètres IGBT et l'adaptation de la communication du circuit de contrôle. StandardDispositif de transistor bipolaire à grille isoléeles commandes peuvent être livrées dans un délai de 7 à 14 jours. Les structures de colis personnalisées ou les spécifications électriques nécessitent 15 à 45 jours pour le développement des échantillons. Le MOQ commence à partir de 50 pièces par modèle, avec des spécifications mixtes disponibles.
Pendant la production, les clients peuvent recevoir des photos ou des vidéos-en temps réel de l'emballage et des tests électriques. L'inspection électrique des semi-conducteurs par un tiers-est prise en charge. Les produits sont emballés dans des sacs sous vide anti-statiques avec des cartons d'exportation-résistants à l'humidité, et toutes les expéditions sont couvertes par une assurance fret internationale.
Caractéristiques
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Paramètre |
Spécification standard |
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Modèle de produit |
Série complète de dispositifs à transistors bipolaires à grille isolée |
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Tension nominale |
Qualités industrielles 600 V/1 200 V |
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Courant nominal |
Courant nominal sélectionnable de 10 A à 300 A. |
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Perte de commutation |
Conception d'emballage de puces optimisée à faible-pertes |
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Compatibilité des applications |
Servomoteur/entraînement commun robotique/convertisseur de fréquence |
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Protection contre les surtensions |
Structure intégrée-de résistance aux surintensités |
Applications
- Systèmes d'entraînement de servomoteurs
- Contrôleurs d'articulations robotiques intégrés
- Convertisseurs de fréquence industriels
- Systèmes de conversion d'énergie de stockage d'énergie
- Unités de contrôle de puissance de machine CNC
- Onduleurs solaires photovoltaïques
- Modules d'alimentation pour équipements médicaux
- Tableaux de commutation de puissance pour l'automatisation industrielle

Capacité de personnalisation
Nous fournissons des services de personnalisation ODM pourDispositif de transistor bipolaire à grille isolée, y compris:
- Personnalisation de la tension nominale
- Ajustement des spécifications actuelles
- Modification de la structure du paquet
- Optimisation de la disposition des broches
- Adaptation des performances de la puce
Sur la base des conceptions de cartes de commande des clients, nous pouvons personnaliser les paramètres électriques et les structures d'installation.
Prestations de personnalisation :
- Cycle de développement de l'échantillon : 15 à 45 jours
- MOQ : 50 pièces par modèle
- Plusieurs spécifications peuvent être mélangées
- Optimisation des applications haute-fréquence et haute-puissance disponible
- Prise en charge du développement OEM de la carte de lecteur
Emballage et expédition
Tous les appareils IGBT sont emballés individuellement dans des sacs sous vide anti-statiques et des cartons d'exportation-résistants à l'humidité.
Les commandes de semi-conducteurs-en grand volume peuvent être renforcées par des caisses en bois sans fumigation-.
Conditions d'expédition :
- Assurance transport international incluse
- EXW/FOB/DDP pris en charge
- Paiement en USD disponible
- Les commandes standards nécessitent un acompte de 30 %
- Les produits IGBT personnalisés nécessitent un dépôt de 50 %
- Paiement du solde après réception de la copie du connaissement
FAQ
Q : 1. Quel est votre MOQ pour le dispositif à transistor bipolaire à grille isolée ?
R : La quantité minimale de commande pour tous les appareils d'alimentation IGBT est de 50 pièces par modèle.
Q : 2. Pouvons-nous recevoir-des photos de production en temps réel des appareils IGBT pendant la production de masse ?
R : Oui. Nous fournissons gratuitement des photos et des vidéos de production de l'emballage IGBT et des tests électriques pour toutes les commandes des clients.
Q : 3. Quelle est la durée de la période de garantie d'usine pour tous les produits semi-conducteurs IGBT ?
R : Tous les produits semi-conducteurs de puissance bénéficient d'une garantie d'usine mondiale de 18 mois.
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