Avantages du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)

Avantages principaux
Impédance d'entrée élevée : Semblables aux MOSFET, les IGBT sont des dispositifs pilotés en tension-, la grille ne consommant presque aucun courant, ce qui rend le circuit de commande simple et faible-puissance.

Faible puissance motrice : seule une puissance motrice de niveau milliwatt-est requise, bien inférieure à celle des BJT traditionnels, propice à une conception-économe en énergie.

Chute de tension de conduction réduite : grâce à l'effet de modulation de conductivité, la tension de saturation à l'état passant (VCE(sat)) n'est que de 1 à 3 V, ce qui est nettement inférieur à celui des MOSFET de même tension nominale, réduisant ainsi la perte de conduction.

Vitesse de commutation élevée : la fréquence de fonctionnement peut atteindre 1 à 20 kHz, adaptée aux variateurs de fréquence haute-, aux entraînements de moteur et à d'autres scénarios.

Grande capacité de puissance : un seul module peut prendre en charge jusqu'à 6 500 V/600 A, adapté aux applications à haute -tension et courant élevé- telles que les véhicules à énergie nouvelle, le transport ferroviaire et les entraînements industriels à fréquence variable.

Structure compacte et haute fiabilité : l'emballage modulaire (tel que l'intégration avec des diodes à récupération rapide, FWD) facilite l'intégration du système et améliore la stabilité globale.