Conseils d'utilisation des transistors bipolaires à grille isolée

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est un dispositif de commutation contrôlé en tension-largement utilisé dans les systèmes électroniques- à haute-puissance de puissance, combinant les avantages de l'impédance d'entrée élevée et du pilotage simple des MOSFET avec la faible chute de tension de conduction et la capacité de transport de courant élevé-des BJT.

 

Points d'utilisation de base
Exigences de tension de conduite
Les IGBT sont des-appareils contrôlés en tension. Une tension de +12V à +18V (valeur typique) doit être appliquée entre la grille et l'émetteur pour l'allumer ; pour l'arrêt-, une tension de 0 V ou négative (telle que -5 V à -15 V) peut être appliquée pour améliorer la capacité anti-interférence et accélérer l'arrêt.

 

La tension de commande de grille ne doit pas dépasser ±20 V, sinon la couche d'oxyde de grille pourrait être endommagée.

 

Sélection du courant et de la tension
Les IGBT peuvent gérer des courants de plusieurs centaines d'ampères (par exemple, plus de 500 A) et des tensions de plusieurs milliers de volts. Lors de la sélection, une marge de 20 % à 30 % doit être laissée pour éviter les dommages causés par une surtension ou une surintensité.