Définition du transistor bipolaire à grille isolée

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est un dispositif semi-conducteur de puissance composite entièrement contrôlé, alimenté en tension-, qui combine les avantages du MOSFET (transistor à effet de champ de semi-conducteur-oxyde métallique-) et BJT (transistor à jonction bipolaire).

 

Points de définition de base
Composition de la structure : combine l'impédance d'entrée élevée et les caractéristiques de tension-d'un MOSFET avec la faible chute de tension de conduction et la capacité de transport de courant-élevée d'un BJT.

 

Principe de fonctionnement : en appliquant une tension à la grille pour contrôler la formation du canal, elle fournit un courant de base au transistor PNP, réalisant ainsi l'activation ou la désactivation-.

 

Structure du terminal : comporte trois électrodes - Gate (G), collecteur (C) et émetteur (E).

 

Principaux avantages
Impédance d'entrée élevée (similaire au MOSFET, faible puissance motrice)

Faible chute de tension de conduction (similaire au BJT, faible perte de conduction)

Convient aux applications haute tension, courant élevé et moyenne à haute fréquence-